Snapdragon 8 Gen 3はTSMC 4nm N4Pで製造予定、シングルコア性能は1,800点超え

Snapdragon 8 Gen 3はTSMC 4nm N4Pで製造予定、シングルコア性能は1,800点超え

2022年11月の末にSnapdragon 8 Gen 2を搭載した製品が発表されたばかりですが、後継製品のSnapdragon 8 Gen 3に関する情報が流れてきました。来年の今頃にはいくつかの搭載製品が発表されているので新しい情報が出てきてもおかしくはありませんが、半導体業界はすごい勢いで進んでいることがわかります。

 

中国の情報通の未消失的亡霊氏によると、SM8650ことSnapdragon 8 Gen 3はSamsung 3nm 3GAP(SF3)ではなくTSMC 4nm N4Pで製造される予定で、Geekbench 5基準でシングルコア性能は1,750点程度、マルチコア性能は6,450点程度になるようです。実際に商用製品が搭載する場合は、前者の性能が1,800点超え、後者の性能が6,500点超えを達成するようです。

 

Xiaomi 13 ProやOnePlus 11が搭載したSnapdragon 8 Gen 2の性能は、シングルコア性能が1,500点、マルチコア性能が5,200点程度なので、大きく性能が向上します。特にシングルコア性能の向上は実際に触って差を感じる部分なので、この性能が飛躍的に上昇しているのは喜ばしいです。

 

また、先の製品となるSM8750ことSnapdragon 8 Gen 4はTSMC 3nm N3Eで製造される予定で、NUVIA製CPUをモバイル向けに初搭載します。その構成はPhoenix-Lを2基、Phoenix-Mを6基の2+6構成で、big側とLITTLE側双方で自社開発CPUを採用することになり、脱Cortexを達成した製品になります。残念ながら性能は現時点では不明です。

 

Qualcommがサムスン電子の3nmを高く評価しているとの報道もありましたが、今回の情報では標準版には採用しない方向で動いているようです。高い性能、高い安定性を発揮できればどちらで製造しても問題ありませんが、Qualcommがこの判断したということは現時点ではTSMCに任せたほうがどちらも達成できるのかもしれません。

 

 

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