Snapdragon 4 Gen 2の製造プロセスは、発熱など数々の問題を引き起こしたSnapdragon 8 Gen 1と同じ

Snapdragon 4 Gen 2の製造プロセスは、発熱など数々の問題を引き起こしたSnapdragon 8 Gen 1と同じ

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Qualcommは先月、新SoCとしてSnapdragon 4 Gen 2を発表し、Snapdragon 4シリーズとして始めて4nmプロセスを採用したと明らかにしました。しかし、Snapdragon 4 Gen 2が採用した製造プロセスは、数々の問題を引き起こしたSnapdragon 8 Gen 1と同じであることが判明しました。

 

Redmi Note 12 5Gやvivo iQOO Z6 Lite 5Gなどが搭載したSnapdragon 4 Gen 1の正当な後継SoCとなるSnapdragon 4 Gen 2は4nmプロセスを採用していますが、Qualcommは製造場所がTSMCなのかサムスンファウンドリなのか明らかにしませんでした。

 

しかし、SoCが発表される前に韓国の情報通によるリークによって、TSMCではなくサムスンファウンドリで製造していることが判明し、TSMCではないことで本当に安定した製造が可能なのか心配した人もいるでしょう。

 

更に、詳細な製造プロセスもSF4E (旧4LPE)やSF4 (旧4LPP)ではなく、4LPXと判明しました。この製造プロセスは数々の問題を引き起こし、Qualcommが高性能なSoCの製造をTSMCで行うことを決めたひとつの原因でもあるとされ、この製造プロセスで製造された製品の名称はXiaomi 12やOnePlus 10 Proなどが採用したSnapdragon 8 Gen 1 (SM8450)です。

 

そのため、Snapdragon 4 Gen 2はSnapdragon 8 Gen 1と同じ製造プロセスを採用したSoCとなりますので、製造場所がTSMCではないことに加えて4LPXを採用するといった不安要素が更に増えたことになります。

 

ただ、サムスン電子は4nmプロセスの歩留まりが改善されたと発表しており、これは予測値ではありますが歩留まりは75%に達したと報告されています。さらに現在は不良品率を20%未満にする目標を立てて開発を進めているようで、Qualcommが製造場所をTSMCへ移行するきっかけのひとつとなった製品のSnapdragon 8 Gen 1を製造していたときは約35%とされていたため、かなり改善していることが伺えます。

 

また、Snapdragon 8 Gen 1とSnapdragon 4 Gen 2の求める性能がまったく異なるため、少なくとも過去最悪の失敗作と評されるSnapdragon 8 Gen 1の二の舞を演じることはないと考えています。そのため、過度な心配をする必要はまったくありません。

 

Snapdragon 4 Gen 2を初搭載した製品は中国市場向けのXiaomiのRedmi Note 12Rで、現時点では国際市場では搭載機が存在しません。近い将来には同製品の国際市場向けとなるRedmi 12 5Gが、インド市場向けとなるPOCO M6 Pro 5Gが発表されるようですが具体的な日付は不明です。

 

 

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