SamsungはSamsung Foundry(ファウンドリ事業部)が業界に先駆けてGAA(Gate-All-Around)構造を採用し、最初の製品の3GAE(3nm Gate-All-Around Early)の量産を第2四半期に開始すると発表したと韓国媒体のBLOTERが明らかにしました。第2四半期は4月から6月と7月から9月を表す場合がありますが、Samsungの場合は前者を指します。
Samsung Foundryのカン・ムンス副社長は、4月28日に開催した実績説明会で「第1世代のGAA構造を採用した製品の品質検証を完了し、第2四半期に業界初の量産を通じて競合他社に対する技術の優位性を確保する計画だ」と述べたようです。同社のGAA構造は第1世代と第2世代があり、前者を3GAE、後者を3GAP(3nm Gate-All-Around Plus)と名付けています。
また、同氏は「第1世代のGAAの歩留まり改善と生産の安定化で技術格差を拡大し、投資財源の調達を目的とした価格の実現化、最先端技術の歩留まり改善と比重の拡大」をするとし「下半期にも市場成長率を上回る成長を目標にしている」と述べました。Samsung Foundryは4nmと5nmの歩留まりの低さが有名で、QualcommやNVIDIAが安定した供給が可能なTSMCへ移行したとの情報もあり、Samsungはこの問題の早期解決を目標としています。
2021年10月に開催したSamsung Foundry Forum 2021(SFF 2021)では第1世代のGAA構造を採用した製品を2022年前半に量産を開始すると発表していたので、副社長の発言は計画通りに事が進んでいると解釈できます。しかし、第2世代のGAA構造を採用した3GAPに関しては2023年末から2024年末へ延期したとの報道もあり、順調な部分と難航な部分があるようです。
4LPXを採用したSnapdragon 8 Gen 1の後継製品のSnapdragon 8 Gen 2はTSMC N4での製造が有力なので、3GAEを初採用するのはS.LSI事業部が開発したExynos 2300が噂されています。Exynos 2300は4LPEを採用したExynos 2200の後継製品で、CPUはCortex-X2から消費電力が増加したCortex-X3を採用するため、GAA構造による消費電力の改善が期待されています。
競合他社のGAA構造の採用は、2025年に量産予定のTSMC N2、2024年前半に量産予定のIntel 20Aがあります。Samsung FoundryはTSMCと比較して3年、Intelと比較して2年も早くGAA構造を採用した製品を製造するので大きな注目が集まっていますが、試作生産の歩留まりは10%程度と報じられており、依然として茨の道を歩むのは変わらないでしょう。