HiSilicon Kirin 810のベンチマーク結果が公開、Snapdragon 730万事休す

HiSilicon Kirin 810のベンチマーク結果が公開、Snapdragon 730万事休す

本日発表された7nm FinFET製造プロセスを採用したHiSilicon Kirin 810のAnTuTuベンチマーク結果がAnTuTu公式によって公開されました。

 

AnTuTuによるとKirin 810に搭載されているMali-G52 MP6のクロック数は820MHzと判明しました(Huawei nova5公式ページにも記載)。Kirin 710が1000MHz、Kirin 659が900MHzなので低クロックに設定されており、一概に言うことが出来ないですがクロック数が低いと基本的に発熱は少なくなります。

製造プロセスはTSMC製7nm FinFET製造プロセスを採用し、Samsung製8nm FinFET製造プロセスを採用しているSnapdragon 730とはわずかな差が生まれています。製造プロセスはCPU性能やGPU性能の向上も関係しているといえばしていますが、大きな点として省電力性や発熱の軽減が期待できます。なので、Kirin 810はGPUのクロック数が低く製造プロセスも微細になっていますので、Snapdragon 810のような爆熱にはなりにくいと考えています。

 

AnTuTuが公開したKirin 810の総合性能は237,437点でSnapdragon 730を大きく引き離す結果となりました。総合性能で見るとSnapdragon 835やKirin 970よりも性能が高く、非常にレベルの高いプロセッサーが出現したことが表れています。

細かく見ていくとQualcomm Kryoアーキテクチャを採用しているSnapdragon 730よりもCPU性能が高く、更にGPU性能が高いことで有名なAdrenoを搭載しているのにもかかわらずARM Mali GPUを採用しているKirin 810が上回っていることがわかります。更にKirin 810はゲームをする際に最適化を行うKirin Gaming+(キリン ゲーミング プラス)技術を有していますので、更に動作が安定すると考えています。

 

カスタムスキンを考えずに動作の快適さを表すUX性能でもSnapdragon 730を上回り、RAMやストレージの性能を測るMEM性能でも上回っていますので、すべての性能でKirin 810はSnapdragon 730を上回っていることになります。

今までのSoC市場はQualcommが先導し、その後ろにHiSiliconやSamsung、MediaTekが続いていましたが、Kirin 810の存在によってその当たり前と思われたものが崩れかけてきています。ゲームをするならSnapdragonはもう古い、そんな時代がいつか来るかもしれません。

 

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