「Galaxy専用AP」ことExynos 2500はGAA構造の3nmプロセスで製造予定

「Galaxy専用AP」ことExynos 2500はGAA構造の3nmプロセスで製造予定

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2025年の1月から2月に発表される予定のGalaxy S25シリーズは「Galaxy専用AP」を搭載する予定で、Exynos 990やExynos 2100などの「実質的なGalaxy専用AP」とは異なって完全に自社製品向けに最適化したSoCになるとされています。今回、その「Galaxy専用AP」の製造プロセスが判明したので共有します。

 

韓国の情報通の吸血鬼王氏によると、Exynos 2500(暫定名)はサムスン電子のファウンドリ事業部が提供する3nmプロセスに基づいたSF3(旧3GAP)で製造される予定です。同社の3nmプロセスはSF3E(旧3GAE)がありますが、こちらはスマートウォッチ向けに使用する予定としています。

 

サムスン電子の3nmプロセスは従来のFinFET構造ではなく、GAA構造を採用することで大きな注目を集めています。一般的にFinFET構造よりもGAA構造の方が性能が高く、消費電力の改善に期待できるので、確かな歩留まりを実現すれば3nmプロセスでFinFET構造を採用しているTSMCに匹敵する可能性があります。

 

また、CPUの構成も噂程度ですが判明しており、Cortex-X5を1基、Cortex-X5を3基、Cortex-A730を4基、Cortex-A520を4基の1+3+2+4構成を採用するとしています。GPUに関しては特に言及はありませんが、従来どおりの開発を行うのであればXclipse 950になるでしょう。

 

「Galaxy専用AP」を搭載するのは少なくともGalaxy S25、Galaxy S25+、Galaxy S25 Ultraの3機種ですが、Galaxy S25+に関してはサムスン電子の目標とする出荷台数もしくは販売台数を達成しにくい位置の製品なので、開発を取りやめる可能性が韓国メディアを中心に示唆されています。

 

 

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