「Snapdragon」を開発・提供しているQualcommが、Samsung Foundryの最先端の製造プロセスで話し合いを進めていることがわかりました。
QualcommとSamsungの関係といえば、Snapdragon 888 5GやSnapdragon 8 Gen 1での過度な発熱が想起されるため現在の印象は最悪ですが、過去には非常に優れたSnapdragon 835を製造した経験もあり、すべてを否定するほどの企業では決してありません。
様々な印象がある中で、韓国で流れた情報によると、最近、QualcommやNVIDIA、AMD、AWS、Tesla、IBMなどの複数の企業が交渉を進めており、その中でQualcommは3nm 3GAPに関して交渉を進めていると明らかになりました。
そして、Qualcommは3nm 3GAPの完成度に満足しているようで、製造場所をTSMCから移行する可能性が高いとされています。
Qualcommが採用しようとしている3nm 3GAPはGAA構造を採用した製造プロセスで、従来のFinFET構造と比較してロジック密度や性能、消費電力がいくつか改善されるとされています。
少し前に、NUVIA製CPUを搭載したSnapdragon 8+ Gen 4が3nm 3GAPで製造されるとの噂が流れましたが、今回の情報によってその可能性が更に高まる状況となりました。
Snapdragon 8 Gen 4はNUVIA製CPUとAdreno GPUが共存する初の製品となる見込みで、大きな期待が寄せられています。現在の情報では2025年の下半期に初搭載する製品が登場する予定です。