Samsungは2021年10月6日にSamsung Foundry Forum 2021(SFF 2021)を開催し、3nm GAAと2nm GAAの生産スケジュールを明らかにしました。
3nmと2nmはGAA(Gate-All-Around)技術を採用しており、Samsungはこの技術を発展させた独自のMBC(Multi-Bridge-Channel)FETを採用。MBCFETを採用したSamsung初の3nm GAAは5nm EUVと比較して面積が最大35%縮小、性能が最大30%向上、消費電力が最大50%削減されると発表しています。そして、最大の懸念材料の歩留まりは現在大量生産されている4nmと同等レベルに近づいていると発表。
3nm GAAを採用した顧客のチップ設計の生産は2022年前半に開始する予定で、第2世代の3nm GAAは2023年に予定しているようです。また、MBCFETを採用した2nm GAAは2025年に大量生産を行う予定と案内しています。